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    村田制作所计划将硅电容器产能提高两倍:总投资100亿日元

      来源:IT之家      作者:    发布时间:2023-06-26

    6月26日消息,日本电容器(MLCC)大厂村田制作所近日宣布,计划到2028年,对日本国内的金泽村田制作所、仙台村田制作所和芬兰子公司合计投资约100亿日元,将硅电容器产能提高两倍。

    目前,硅电容器的应用仅限于医疗设备,但未来有望扩展到智能手机和服务器等应用,村田制作所希望通过投资和增产及时捕获更多市场需求。

    硅电容器采用半导体制造工艺制作,其介电层为稳定性更好的硅材料。与当前的主流电容器相比,硅电容器有着更好的电容密度、可靠性、高频特性等优势,老化时间可长达10年,其额定温度甚至可高达250℃,在恶劣环境下有着更好的表现。

    不过,目前硅电容器的价格是普通MLCC的几十倍,因此其应用范围集中于高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。但考虑到硅电容器在轻薄方面的优势,对于内部空间越来越捉襟见肘的智能手机而言,硅电容器也是相当不错的选择。村田制作所的硅电容器厚度可低至0.05毫米。

    今年3月,村田制作所曾宣布将于2024年之前向法国子公司投资约5000万欧元(当前约3.92亿元人民币)以增加硅电容器的产能。此次村田制作所的投资计划,将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统,以实现全球化的硅电容器供应。

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