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    SK海力士扩产 DRAM及3D NAND或迎来价格拐点

      来源:集微网      作者:    发布时间:2017-07-31

    731日,韩国存储器大厂SK海力士宣布今年资本支出追加至9.6万亿韩元(约86.1亿美元),进行3D NAND FlashDRAM两大存储器扩产。此金额比年初宣布数字高出37%,也比该公司去年的设备投资总额高出53%。市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前画下句点。

    SK海力士上修资本支出,目的在于想让新厂提前完工。SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主,南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年,如今将提早至2018年第4季,比预定时间提早半年。

    据海外媒体报道,从2016年下半年到今年上半年以来,DRAM均价飙升了17%、NAND 均价攀涨了12%,主要是由于存储器进入制程转换,产能大减,使得厂商无不撒钱扩产。虽然SK海力士强调这次投资只要用于技术升级,即使新厂落成,也不会造成整体存储器暴增,估计DRAMNAND Flash产能只会增加3~5%,不会造成存储器供过于求。但市调机构IC Insights认为,未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西数、武汉新芯、长江存储,都大举提高3D NAND Flash产能,而且未来还有新厂商也会加入战场,3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。

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